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        產品中心

        霍爾效應測試系統HEMS

        適用范圍: GaAS based materials (HEMSTs,pHEMTs,HBTs,FETs,MESFETs), lnP, InAs, GaN and AIN, Si, Ge, SiC, HgCdTd, ZnO, SiGe, MnGaAS, ZnO, 紅外應用(LED, laser diodes, detectors), 金屬氧化物, 有機材料, 無機材料, 鐵氧體等。

        特點與優勢

        • 主要技術指標

           

          測量包括:

          •   遷移率測試

          •   DC HEMS: 10^6cm2/Vs to 10cm2/Vs

          •   AC HEMS: 10cm2/Vs to 0.1cm2/Vs

          •   載流子濃度測試

          •   電阻率測試

          •   電阻測量

          •   低電阻范圍 1uohm to 1Mohm

          •   寬電阻范圍 1uohm to 100Gohm

          •   高電阻范圍 1ohm to 100Gohm

          •   范德堡法測試范圍

          •   霍爾巴法測試

           

          磁極帽:

          •   可更換極帽

          •   標準25mm

          •   在0-130mm間距連續可調

          •   更大極帽直徑可選,50mm,75mm

           

          電磁鐵:

          •   ±2.5T@100mmgapwith25mmpoleface

          •   ±35V, ±70A電源

          •   磁場>±IT@25mmpolegap

          •   線圈電阻: 0.5 ? (20°C)

          •   水冷

        •  

           

           

          溫度選項:

          •   低溫 3K-300K

          •   高溫300K-1273K

           

          納米磁學高斯計:

          •   磁場掃描采用集成高斯計

          •   磁場校準采用霍爾探頭

          •   高靈敏度的磁場測量

          •   所有參數可通過軟件控制

           

           

          樣品架:

          •   4,6 or8范德堡或霍爾巴測試設計

          •   易于樣品安裝與彈簧連接

          •   5mmx5mm樣品大小(提供更大選件)

          •   多個樣品安裝

           

           

          控制器和軟件:

          •   使用我們軟件可逐層的進行遷移率分析

          •   基于C# 的全自動軟件分析

          •   非常寬的溫度測試范圍,3-1,300K

          •   采用高斯計進行磁場的控制

          •   非常容易的進行范德堡霍爾巴方法樣品測試

          •   提供軟件終生升級

           
        •  

           

           

        亚洲国产一区二区三区

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